База кодов ГОСТ Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА
31. ЭЛЕКТРОНИКА ← 1 2 3 4 5 … 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 … 79 80 81 82 83 →
Название: Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости Название (англ): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)Название: Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей Название (англ): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)Название: Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора Название (англ): Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвораНазвание: Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки Название (англ): Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечкиНазвание: Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока Название (англ): Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стокаНазвание: Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме Название (англ): Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режимеНазвание: Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме Название (англ): Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режимеНазвание: Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума Название (англ): Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шумаНазвание: Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока Название (англ): Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мАНазвание: Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток Название (англ): Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
← 1 2 3 4 5 … 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 … 79 80 81 82 83 →
Previous post: База кодов ТНВЭД Поиск по базе ОКУН