База кодов ГОСТ Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА
31. ЭЛЕКТРОНИКА ← 1 2 3 4 5 … 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 … 79 80 81 82 83 →
Название: Фотоэлементы. Общие технические условия Название (англ): Photocells. General specifications Назначение: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные фотоэлементы и фотоумножители, содержащие один каскад усиления, предназначенные для преобразования сигналов оптического излучения в электрические и изготавливаемые для нужд народного хозяйства и для экспортаНазвание: Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик Название (англ): Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses Назначение: Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилителиНазвание: Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателейНазвание: Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
Название: Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения Название (англ): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излученияНазвание: Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения Название (англ): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещенияНазвание: Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения Название (англ): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключенииНазвание: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Название (англ): Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Название: Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры Название (англ): Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметровНазвание: Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия Название (англ): Semiconductor microwave diodes. General specifications Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
← 1 2 3 4 5 … 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 … 79 80 81 82 83 →
Previous post: База кодов ТНВЭД Поиск по базе ОКУН