База кодов ГОСТ Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 ← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
Название: Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения Название (англ): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключенииНазвание: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Название (англ): Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Название: Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия Название (англ): Semiconductor microwave diodes. General specifications Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
Название: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Название (англ): Thyristors. Terms, definitions and letter symbols Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров.
Название: Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров Название (англ): Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторовНазвание: Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи Название (англ): Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)Название: Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума Название (англ): Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шумаНазвание: Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики Название (англ): Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)Название: Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости Название (англ): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)Название: Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей Название (англ): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Назначение: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
Previous post: База кодов ТНВЭД Поиск по базе ОКУН